SAMSUNG 850 EVO Basic 2 TB SATA III 2.5".

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Codice articolo online: 0001018025Codice articolo: 922426
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  • Tipo di prodottoInterno
  • Capacità di memoria2000GB
  • Interfaccia memoriaSATA
  • Campo d'applicazioneDesktop, Notebook, Privato e Ufficio
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  • Interfaccia memoriaSATA
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Dettagli sul prodotto

SAMSUNG

Dettagli sul prodotto

L'esclusiva e innovativa architettura di memoria flash 3D V-NAND di Samsung è un'assoluta novità che supera le limitazioni di densità, le prestazioni e la durata dell'attuale architettura planare della NAND tradizionale. La 3D V-NAND del 850 EVO è prodotta impilando verticalmente 32 strati di celle uno sull'altro invece di ridurre le dimensioni delle celle e cercare di adattarle in uno spazio orizzontale; questo processo porta un miglioramento delle prestazioni a parità di spazio.

Proprietà del prodotto

Tipo di prodottoInterno
Algoritmi di sicurezza256-bit AES
SMART support
4K random read98000 IOPS
Interfaccia memoriaSATA
4K random write90000 IOPS
TRIM Support
Tipo memoria NAND3D-V-NAND
Cache2000 MB
Tasso di lettura540 MB/s
Capacità di memoria2000 GB
Campo d'applicazioneDesktop, Notebook, Privato e Ufficio
Velocità scrittura520 MB/s
Fattore forma memoria2.5 "

Proprietà del prodotto

Tipo di prodottoInterno
Algoritmi di sicurezza256-bit AES
SMART support
4K random read98000 IOPS
Interfaccia memoriaSATA
4K random write90000 IOPS
TRIM Support
Tipo memoria NAND3D-V-NAND
Cache2000 MB
Tasso di lettura540 MB/s
Capacità di memoria2000 GB
Campo d'applicazioneDesktop, Notebook, Privato e Ufficio
Velocità scrittura520 MB/s
Fattore forma memoria2.5 "
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SAMSUNG 850 EVO Basic 2 TB SATA III 2.5".

N. produttore MZ-75E2T0B/EU

L'esclusiva e innovativa architettura di memoria flash 3D V-NAND di Samsung è un'assoluta novità che supera le limitazioni di densità, le prestazioni e la durata dell'attuale architettura planare della NAND tradizionale. La 3D V-NAND del 850 EVO è prodotta impilando verticalmente 32 strati di celle uno sull'altro invece di ridurre le dimensioni delle celle e cercare di adattarle in uno spazio orizzontale; questo processo porta un miglioramento delle prestazioni a parità di spazio.

Proprietà del prodotto

Tipo di prodottoInterno
Algoritmi di sicurezza256-bit AES
SMART support
4K random read98000 IOPS
Interfaccia memoriaSATA
4K random write90000 IOPS
TRIM Support
Tipo memoria NAND3D-V-NAND
Cache2000 MB
Tasso di lettura540 MB/s
Capacità di memoria2000 GB
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Velocità scrittura520 MB/s
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Proprietà del prodotto

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4K random read98000 IOPS
Interfaccia memoriaSATA
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Alimentazione

Potezione d'ingresso stand-by0.06 W

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