SAMSUNG 850 EVO

SAMSUNG 850 EVO

Numéro d'article en ligne: 0000974883
SAMSUNG 850 EVO
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  • Type de produitInterne
  • Capacité mémoire120GB
  • Interface mémoireM.2 B+M Key
  • Champ d'applicationDesktop, Notebook, Privé et Bureau
CHF
86.20
Livraison à domicile
livraison prévue le19.02.2019
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  • Capacité mémoire120GB
  • Interface mémoireM.2 B+M Key
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Détails du produit

SAMSUNG

Détails du produit

Propriétés produit

Type de produitInterne
Algorithme sécurité256-bit AES
Support TRIMOui
Support SMARTOui
Cache512 MB
4K random write89000 IOPS
4K random read97000 IOPS
Type mémoire NAND3D-V-NAND
Vitesse écriture500 MB/s
Vitesse lecture540 MB/s
Interface mémoireM.2 B+M Key
Capacité mémoire120 GB
Champ d'applicationDesktop, Notebook, Privé et Bureau
Débit de transmission max.600 MB/s

Propriétés produit

Type de produitInterne
Algorithme sécurité256-bit AES
Support TRIMOui
Support SMARTOui
Cache512 MB
4K random write89000 IOPS
4K random read97000 IOPS
Type mémoire NAND3D-V-NAND
Vitesse écriture500 MB/s
Vitesse lecture540 MB/s
Interface mémoireM.2 B+M Key
Capacité mémoire120 GB
Champ d'applicationDesktop, Notebook, Privé et Bureau
Débit de transmission max.600 MB/s
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SAMSUNG 850 EVO

N° de fabricant MZ-N5E120BW

Propriétés produit

Type de produitInterne
Algorithme sécurité256-bit AES
Support TRIMOui
Support SMARTOui
Cache512 MB
4K random write89000 IOPS
4K random read97000 IOPS
Type mémoire NAND3D-V-NAND
Vitesse écriture500 MB/s
Vitesse lecture540 MB/s
Interface mémoireM.2 B+M Key
Capacité mémoire120 GB
Champ d'applicationDesktop, Notebook, Privé et Bureau
Débit de transmission max.600 MB/s

Propriétés produit

Type de produitInterne
Algorithme sécurité256-bit AES
Support TRIMOui
Support SMARTOui
Cache512 MB
4K random write89000 IOPS
4K random read97000 IOPS
Type mémoire NAND3D-V-NAND
Vitesse écriture500 MB/s
Vitesse lecture540 MB/s
Interface mémoireM.2 B+M Key
Capacité mémoire120 GB
Champ d'applicationDesktop, Notebook, Privé et Bureau
Débit de transmission max.600 MB/s
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